STE PECVD200设计用于在高达200mm的晶片上以电容放电的方式对电介质（SiNx、SiO2等）进行等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。该系统设计允许将射频电位切换到盘式淋浴器和工作台。主要优势：1.蚀刻/沉积均匀度为晶圆的±2%；2.优化的供气系统；3.按配方进行工艺流程；4.安装“穿过墙壁”；5.自动晶片装载；6.盒式晶片装载能力

通孔安装 ±300ppm/℃ 20% 150mW 10KΩ 10.3mm(长度)*12.1mm(高度)。

XTAL OSC XO 20.0000MHZ HCMOS TTL。

Conn RJ-45 RCP 8 POS 1.27mm Solder ST Thru-Hole 12 Terminal 1 Port。

贴片安装 ±10% X8R 50V 330nF 3.2mm*1.6mm*1.6mm 1206。

通孔安装 SIP 6W 21.8mm*9.2mm*11.1mm 2。

通孔安装 线性 ±300ppm/℃ ±20% 6mm(高度) 10KΩ 1/4W。

贴片安装 ±10% X7R 4.5mm(长度)*6.4mm(宽度) 2KV 1825 15nF。

onsemi LDO稳压芯片  3.3 V输出  1A最大输出  单路输出  SOT-223  表面贴装  3+Tab针。

Nichicon 22μF铝电解电容  CD系列  100V 直流  表面贴装  8 (Dia.) x 10mm  最高+105°C