目前,Micro-LED芯片应用于新型显示技术主要存在以下两个痛点问题:1)Micro-LED芯片的效率问题;2)Micro-LED芯片的驱动问题。 针对以上Micro-LED芯片的核心痛点问题,该技术主要的解决方案是: (1)针对台面刻蚀引入的材料界面进行多种修复及钝化技术处理,从而降低材料界面缺陷态,能够最大限度抑制Micro-LED芯片的效率下降问题; (2)在传统吸收再发射的物理机制中通过引入Micro-LED芯片发光材料与光转换介质间的近距强耦合通道进行直接能量转换,利用复合多通道能量转换方式提升混合芯片的能量转换效率; (3)将二维过渡金属硫化物Mos2TFT在高分辨率氮化稼基Micro-LED芯片阵列上进行三维单片集成,利用二维单晶二硫化钼材料卓越的迁移率能力,在较低电压下完成对不同尺寸的Micro-LED芯片工作驱动,从而降低整个Micro-LED芯片阵列的功耗。 Micro-LED显示技术是业内最为看好的新一代高品质显示技术,应用前景十分广泛,未来有望在可穿戴/消费电子产品、数字高清显示、车载显示、虚拟/增强现实等多种不同应用场景实现大规模应用。