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按深度确定半导体异质结构中主要电荷载流子浓度分布轮廓的方法,其中使用半导体异质结构样品来测量电容,其不同之处在于:另外对结构的每个功能层进行蚀刻,测量电容在非稳态模式下的电压依赖性和耗散因数的电压依赖性,确定给定深度的 "轮廓窗口",然后在非稳态模式下重新计算非稳态的电容,并确定耗散因数的电压依赖性。