受激电压特性可控入射段体积半导体器件

应用领域：电子信息

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国家/地区

俄罗斯

行业领域

电子信息

简介

具有感应电流-电压特性受控下降段的半导体器件是指具有负体积电阻的器件（基于贡恩效应的器件），它是基于 AIIIBV 型半导体中主要电荷载流子的体积非线性效应，在强外部电场和磁场影响条件下工作的新型有源电子结构。该装置可用作微波波长发生器或在这些范围内工作的自控转换器。由于在横向使用了正交感应漂移特性，其中的贡恩效应场强比载流子漂移的纵向小两倍，因此有可能创造出一种新型的发生器和频率转换器，从而提供高效率。

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