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一种在电介质基底上电化学沉积硅碳薄膜的方法，包括从有机硅和碳电解液中电化学沉积硅碳薄膜，有机硅和碳电解液包括在甲醇或乙醇中的六甲基二硅氮烷、 在基底上布置一个阴极，相对于阳极施加最高 600 V 的电压和最高 70 mA/cm2 的电流密度，其中阴极和阳极之间的距离设定为 1 cm，得到硅碳薄膜、 具有碳化硅 SiC 相的硅碳薄膜，其不同之处在于，在电介质基底上由一层导电材料形成一组不同几何形状的导电点拓扑结构，这些导电点之间的间隙最大可达 200 微米，硅碳薄膜沉积在这些导电点中，并与电介质基底表面直接接触，从而形成 "硅碳薄膜-电介质 "类型的结构。
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