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砷化镓晶片与硅晶片相比具有以下优势:电阻率高,介电常数高;* 由于击穿电压高,因此可以在更高的功率水平下工作;电子迁移率高,饱和率高;在不同设备之间提供可靠的隔离;在高频下工作时产生的噪音更小;不易受温度变化的影响。使用领域:微波集成电路制造;分立和矩阵光电探测器;LED、光电阴极;电离辐射探测器;输入输出光学产品;半导体激光器;卫星太阳能电池板;红外辐射聚焦和调制等。
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