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白俄罗斯国家科学院BIStepanov物理研究所开发了一种AlN/AlGaN/GaN氮化物异质结构的分子束外延技术。氮化镓(GaN)与传统的Si和GaAs相比具有许多优势,例如:能够在高温下工作;耐辐射;设备效率更高;异质结构AlGaN/GaN中电子气的密度和迁移率高,可以在其基础上生产出强大的微波和功率晶体管。