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用于5G通信系统的低相位噪声SiGe BiCMOS频率合成器
应用领域:电子信息
我有意向
国家/地区
土耳其
行业领域
电子信息
简介

无线系统的进步显著扩大了通信系统的市场,导致数据传输和接收流量增加。扩展无线通信频谱的带宽对于满足新的数据传输需求至关重要。然而,目前6 GHz以下的频谱充斥着WiMAX和WiFi等应用。因此,毫米波(mmWave)频段是第五代(5G)无线通信系统的有前景的候选者,因为它们具有宽带和更高容量的潜力,能够实现高达20 Gbps的数据速率。5G系统必须具有低功耗、低成本和高紧凑性,以实现移动设备兼容性。本研究提出了一种基于PLL的SiGe BiCMOS频率合成器,针对5G MIMO收发器系统进行了优化,解决了5G系统中的频率转换瓶颈问题。该合成器旨在实现:低功耗的高信噪比(SNR)、紧凑的面积和高集成能力。该项目使用基于滑动中频拓扑的II型三阶架构的整数N PLL实现了高性能。该合成器由压控振荡器(VCO)、环路滤波器(LF)、电荷泵(CP)、相位频率检测器(PFD)和分频器组成。合成器使用0.13?m SiGe BiCMOS技术。广泛的布局后模拟证实,该合成器在9 GHz至12 GHz的频率范围内实现了目标性能,在1 MHz偏移下的相位噪声为-118 dBc/Hz,稳定时间为0.8µs。该项目已成功支持5G MIMO收发器,其频率合成器可提供低相位噪声、功率效率和紧凑性。

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