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STE PECVD200 设计用于在高达 200mm 的晶片上以电容放电的方式对电介质(SiNx、SiO2 等)进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。该系统设计允许将射频电位切换到盘式淋浴器和工作台。主要优势:1. 蚀刻/沉积均匀度为晶圆的±2%;2.优化的供气系统;3.按配方进行工艺流程;4.安装“穿过墙壁”;5. 自动晶片装载;6.盒式晶片装载能力。
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