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本发明涉及电子的表面发射体,其从碳化硅上的微米石墨烯排列发射电子。发射极由多个SiC势垒组成,这些势垒非常接近和相似,并且它们之间的轴平行,通过等间距的自对准形成。在低电压下操作该器件有助于获得有效发射,这是由从阴极接触注入的电子的势垒之间的量子机械隧穿造成的。