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黑硅(b-Si)是一种有趣的光电仿生结构,因为它在宽波长和入射角范围内具有极低的反射率。这项技术提供了一种原始、高效的技术,用于生产具有超低光反射率的晶圆级(6-12英寸)亚波长b-Si。由于锗-X(X=金属)合金薄膜用作自掩模层,因此制造工艺成本低且与CMOS兼容。