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本发明涉及从碳化硅上的微米石墨烯布置发射电子的表面电子发射器。发射极由多个高度接近和相似的SiC势垒组成,这些势垒之间的轴平行,通过等距间隔的自对准形成。器件在低电压下的操作有助于获得有效的发射,这是由从阴极接触注入的电子的势垒之间的量子机械隧穿引起的。