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设计了一种在纳米尺度上控制晶体硅湿法腐蚀各向异性的方法。该技术允许用户使用氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液精确控制硅的方向性。它还允许用户切换蚀刻方向,而无需切换到其他蚀刻剂。随着业界不断寻求缩小晶体管尺寸,这种新方法也能够在保持其圆形的同时生产直径小于10纳米的纳米柱。