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砷化镓晶片与硅晶片相比具有以下优势：（1）电阻率高，介电常数高；（2）由于击穿电压高，因此可以在更高的功率水平下工作；（3）电子迁移率高，饱和率高；（4）在不同设备之间提供可靠的隔离；（5）在高频下工作时产生的噪音更小；（6）不易受温度变化的影响。使用领域：微波集成电路制造；分立和矩阵光电探测器；LED、光电阴极；电离辐射探测器；输入输出光学产品；半导体激光器；卫星太阳能电池板；红外辐射聚焦和调制等。
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