简介
该研究成功提出并研究了积累型电流输运模式及其作用机制。一方面,积累型电流输运模式构建多数载流子积累层而形成低阻电流通道,使电流主要通过漂移区的积累层多子输运,从而解除Ron,sp和BV之间相互制约关系;另一方面,引入的结型场板结构通过对漂移区的增强耗尽作用而提高漂移区掺杂浓度,使导通状态杂质电离的载流子增加,从而降低导通电阻,突破传统MOS的“硅极限”;基于积累型电流输运模式,该研究提出了系列电导增强型功率LDMOS新结构。每种新结构都比对应的常规LDMOS结构的比导通电阻降低至少30%以上,达到国际先进水平;这也印证了积累型电流输运模式在降低器件比导通电阻值方面的优势。