利用低温AlN薄膜衬底制备低成本GaN同质衬底及产业化

应用领域：新材料

我有意向

国家/地区

中国

行业领域

新材料

简介

（1）采用MOCVD在蓝宝石衬底上制备数百纳米厚度的低植缓冲层，然后在其上高温生长几微米的GaN单晶层：（2）采用HYPE技术制备GaN单晶层而成为GaN复合衬底；（3）通过激光剥离（LLO）技术或者其他工艺去除蓝宝石衬底。这种制备的GaN自支撑衬底由于制备成本居高不下售价昂贵。通过综合采用低温 AIN薄膜衬底技术与HYPE技术，开发出种低成本制各高质量GaN衬底的技术路线，获得了2英寸GaN自支撑衬底。

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