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多路绝缘电阻计
技术简介:

本发明涉及控制和测量设备,特别是测量和控制电气绝缘电阻的装置和自动控制系统,用于控制电气和无线电工程系统和产品电路的绝缘电阻。原理:在母线和外壳之间连接一个测量电容器,该电容器充电到由干扰程度决定的给定电压值。通过外壳的电位跃迁值确定母线与外壳之间的绝缘电阻值。在多通道测量模式下,及时中断瞬变过程并快速将测量电容器的电位恢复到下一个测量通道的跃迁值可提供高速性能。

俄罗斯电子信息技术成果
表面声波无线传感器读出装置
技术简介:

本发明用于监测物体状态的系统中,以防止在监测快速变化的物理量时出现意外情况。高频谐波振荡器 1 产生一个振幅恒定的单频连续无线电信号,发送到发射和接收天线 7,再传到表面声波传感器 9 的接收数字间传感器 10 的发射和接收天线 8。根据检测器 3 输出端被测物理量的变化而调制的低频信号被送入 ADC 4 的输入端,ADC 4 对来自传感器 9 的信号进行连续数字化处理,并与计算机 5 相连,计算机 5 实时确定被测物理量,并从低通滤波器的输出端去除被测物理量的时间依赖性。

俄罗斯高技术服务技术成果
压电陶瓷元件制造方法
技术简介:

本发明涉及基于锆酸铅-钛酸铅(PZT)系铁硬材料的压电陶瓷元件的生产技术,该元件可抵抗外部影响,具有较高的温度参数稳定性,可用于各种功率模式下运行的设备,包括用于极端条件下的设备(加速度计、压电电机、压电变压器)。利用锆酸铅-钛酸铅 PbZrTiMnNbZnO 系铁硬性压电材料,在 700-800 kgf/cm2 的压力下形成工件,然后在 830-870 °C 的温度下以 1-3 106 N/m2 的单轴机械载荷对工件进行热压实,并在此条件下保持 10-40 分钟,接着在 1,150-1,230 °C 的温度下无载荷烧结 1-3 小时。

俄罗斯电子信息技术成果
半导体量子点A3B5独立尺寸控制方法
技术简介:

为了控制量子点的尺寸,使用了一种液滴外延方法,其中在第一阶段形成的 In 金属液滴在背景压力 As 的作用下改变其尺寸,而与密度无关,密度取决于背景压力的值,从而决定了晶体化后半导体量子点 InAs 的最终尺寸。

俄罗斯电子信息技术成果
积分微机械陀螺仪
技术简介:

本发明涉及测量技术和微系统技术领域。整体微机械陀螺仪另外包含八个由半导体材料制成的扭转元件,它们沿惯性质量的边缘相对于基板留有间隙;四个由半导体材料制成的固定静电驱动电极,它们直接位于基板上,并通过蚀刻通道相互隔离;位于支撑和固定电极上的额外金属接触垫;四个由半导体材料制成的静电驱动活动电极,它们相对于基板留有间隙;四个由半导体材料制成的静电驱动活动电极,它们直接位于基板上,并通过蚀刻通道相互隔离;位于支撑和固定电极上的额外金属接触垫。静电驱动装置的另外四个可移动电极由半导体材料制成,与基板之间留有间隙,并与电容式位移传感器的另外四个固定电极以及由氧化硅制成的另外一层半导体材料形成平面电容器。

俄罗斯高技术服务技术成果
可转换双频带表面声波滤波器
技术简介:

用于通信系统的可调频率信号滤波器。本发明尤其涉及基于声表面波(SAW)的可切换滤波器,其工作频率在 10-2500 兆赫范围内,由电压调节。可切换双频滤波器包含四个并行声道,由两个输入数字间转换器(IDT)、两个微带定向耦合器(MSDC)和两个输出 IDT 组成,每对声道可通过独立的二氧化钒薄膜开关进行切换。二氧化钒薄膜的宽度不超过输入 IDT 的两个周期,厚度为 200 纳米。

俄罗斯电子信息技术成果
无接触面声波电流传感器
技术简介:

本发明旨在远程监测高压架空电力线、变电站和配电柜中的电流或电压变化。本发明的精髓在于两条延迟线的方向相互垂直,并固定在非磁性外壳的电介质基板上。每条延迟线都有一条由铌酸锂单晶制成的压电声线、接收-发射-反射的数字间传感器和一个由铌酸铁制成的磁敏薄膜。

俄罗斯新能源及节能技术成果
系统移动部件间输电接触装置
技术简介:

本发明涉及电气工程领域,特别是在一个物体的不同部分之间提供连续能量传输的装置。在一个物体的一个部分上有几个电刷组成的触点对,其中一部分被压在形成物体第二部分触点场的导电胶带上,沿着给定的轨迹相对于第一部分移动,另一部分被压回。在一个固定的时间间隔内,物体第一部分的另一组触点被压在物体第二部分的导流带上,第一组触点被压回,并返回到触点对运动轨迹上的初始位置,这样物体各部分之间就有了恒定的电接触,彼此相对运动,触点之间没有摩擦。

俄罗斯新能源及节能技术成果
超声转换器多频矩阵
技术简介:

本实用新型涉及微系统技术领域,特别是超声波传感器。其技术成果是扩大了压电微机电超声换能器矩阵的工作频率范围。该技术成果是通过以下事实实现的:在拟议的压电微机电超声波传感器矩阵中,相同的方形膜通过不同数量的挂架固定在基板上,这使得传感器的工作频率范围很宽,同时不会使光电模板和信号处理电路的设计过程复杂化。

俄罗斯电子信息技术成果
受激电压特性可控入射段体积半导体器件
技术简介:

具有感应电流-电压特性受控下降段的半导体器件是指具有负体积电阻的器件(基于贡恩效应的器件),它是基于 AIIIBV 型半导体中主要电荷载流子的体积非线性效应,在强外部电场和磁场影响条件下工作的新型有源电子结构。该装置可用作微波波长发生器或在这些范围内工作的自控转换器。由于在横向使用了正交感应漂移特性,其中的贡恩效应场强比载流子漂移的纵向小两倍,因此有可能创造出一种新型的发生器和频率转换器,从而提供高效率。

俄罗斯电子信息技术成果

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