本发明用于脉冲多普勒雷达站（RLS），对高速和高机动性目标进行操作。该装置包括一个正交分量数字整形器、一个匹配滤波器、三个远距离时间肖像整形器、一个远距离频率肖像整形器、一个模块计算器、一个阈值处理单元、一个快速傅里叶变换处理器、一个频谱矩阵整形器、两个逐元素矩阵乘法器和一个反快速傅里叶变换处理器、一个相位乘法器计算器、一个相位系数矩阵发生器、一个自动聚焦信号发生器、一个幅谱计算器、一个幅谱对称中心计算器和一个参考信号矩阵发生器。所称装置的所列部件以某种方式相互连接。

效果：在对付高速和高机动性空中目标时，雷达的速度分辨率提高。

该方法包括在硅碳薄膜的基础上制造传感器的敏感层，而含金属的硅碳薄膜是通过电化学沉积在电介质基板上形成的，基板上的接触金属化是由比例为 9:1 的甲醇/六甲基二硅氮烷组成的有机电解质溶液以间隙结构的形式形成的。然后在电解质溶液中加入所使用的金属盐，用金属原子修饰硅碳薄膜，接着在 50 V 的恒定电压和 60 mA/cm2 的初始电流密度下电化学沉积 5 分钟。

声学加速度计的传感元件可由压电材料制成。由于没有惯性质量的柔性悬挂装置和高水平的结构集成，因此可以减小微型加速度计的尺寸并提高其特性的精度。缩小了微型加速度计的尺寸，提高了其特性的精确度。可测量较大的加速度（超过 30 000 g）。

按深度确定半导体异质结构中主要电荷载流子浓度分布轮廓的方法，其中使用半导体异质结构样品来测量电容，其不同之处在于：另外对结构的每个功能层进行蚀刻，测量电容在非稳态模式下的电压依赖性和耗散因数的电压依赖性，确定给定深度的 "轮廓窗口"，然后在非稳态模式下重新计算非稳态的电容，并确定耗散因数的电压依赖性。

诊断系统基于电测量（定子电流和电压）对缺陷发展的隐藏模式进行了分析评估，并根据选定的模式设计了预测剩余寿命估计算法。竞争优势：（1）无需在监控运行状态时关闭电动机。（2）仅使用电气信号（定子电流和电压）诊断缺陷发展的隐藏模式；传感器可以安装在配电盘上，无需改变电机的设计。（3）与振动和热成像诊断设备相比，成本较低。

该装置采用了原始的LAUE X射线技术，以确保测量的快速性和必要的精度。该技术假设拍摄对象是静止的，晶体学轴的方向通常由软件在与操作员的“对话”中确定。一个月光图中的信息足以确定立方体晶体任何方向下所有晶体学轴的空间位置。竞争优势：（1）用于快速诊断单晶产品的专用设备，可控制；（2）主晶体晶体方向超过允许值的偏差；（3）单晶性（无晶石-相对于主晶粒的亚晶粒）；（4）没有国内同类产品；（5）与国外同行相比；（6）诊断速度快，结果精度可比；（7）设计简单；（8）尺寸和重量更小，成本更低。

该装置采用了独特的微焦距X射线技术，以确保快速控制和必要的精度。用于微波电子元件生产工艺操作质量控制。

是在铁钇石榴外延薄膜（ZIG）和集成半导体微波放大器的基础上建造的，ZIG薄膜用作波导电子控制频率元件。这使得通过选择薄膜频率元件的最佳设计，可以获得相位噪声水平低得多的自旋微波发生器。

微加速度计的作用原理是基于固体分子动力学。表面活性剂分布在固体表面，在压电材料的情况下，其电场对机械作用有反应，可以固定下来。为了做到这一点，压电膜与机械波到声波的转换器连接。技术价值：为高动态移动物体建造具有更高机械变形、振动和高加速度稳定性的小型自由形式惯性导航系统。

这项技术的基本原理是通过电磁感应将电能转化为变形功。金属受到脉冲电磁场的影响，从而在金属中产生涡流。这些电流与感应工具电流的相互作用导致排斥力的产生，排斥力使金属变形，从而产生直接的力。没有工具与工件的物理接触，可以保持产品表面的质量，包括保护涂层。金属在磁场中的高变形率导致其超流动性，因此可以对复杂型材的响应部件进行压缩，包括塑料、陶瓷和玻璃等易碎材料。通过磁场压缩技术将零件连接在一起，可以将装配成本降低20-50%，并通过缩短生产过程和减少装配操作的耗材需求，将生产效率提高到300%。