STEICP200D系统基于STEICP200平台，旨在进行密集型研发和批量生产。该平台实现了电感耦合等离子体中电介质（SiNx，SiO2等）。具有优化气体分配系统的现代化小体积反应器显著提高了晶片处理的均匀性和再现性，并减少了预泵送时间。易于访问所有系统组件，便于日常维护。

基于STE ICP200平台的STE RIE200系统，适用于使用氯和氟化学的RIE工艺。该平台实现了半导体、电介质和金属膜的受控RIE的所有现代功能。主要优势：1.蚀刻/沉积均匀度为晶圆的±2%；2.优化的供气系统；3.按配方进行工艺流程；4.安装“穿过墙壁”；5.自动晶片装载；6.盒式晶片装载能力

STE RTA100系统专为在惰性气氛中对半导体晶圆进行短时间退火而设计，温度高达 1000°C。该系统广泛用于基于 A3B5 半导体化合物的电子设备生产线中的欧姆接触退火。主要优势：1.加热均匀度±2%；2.最大加热速率：-30°C/秒（石墨台）、-150°C/秒（石英台）；3.较高的运行重现性；4.多阶段退火过程的编程。

STE RTP150系统适用于在高达 1300°C 的温度下在不同类型的气氛中长时间处理半导体晶圆。主要优势：1.加热均匀度±2%；2.最大加热速率：-30°C/秒（石墨台）、-150°C/秒（石英台）；3.较高的运行重现性；4.多阶段退火过程的编程。

多功能 PVD平台STE D700为各种晶圆上的薄膜沉积提供了广泛的解决方案。平台可配备不同的源，包括电子束、磁控管或电阻热蒸发器及其组合。平台设计针对保护屏频繁更换的需要进行了优化，并可以轻松访问厚度监测器的石英晶体谐振器。

磁控溅射和电阻热蒸发系统STE MS900适用于研发和试生产，并确保获得极其广泛的多层涂层（金属、电介质、电阻合金、ITO 薄膜等）。优化的STE MS900 HV 蒸发室包括一个固定源块和一个升降顶盖。符合人体工程学的设计，配备有升降机构，方便维护蒸发器和用于收集溅射材料的屏幕系统。主要优势：1.通过 180° 晶圆支架翻转实现双面溅射；2.采用锁室配置的“穿墙式”安装。

STE MS150系统的灵活配置允许使用各种源及其组合，并为金属和电介质薄膜的磁控溅射和电阻热蒸发提供广泛的功能。  主要优势：1.灵活配置；2.由于使用柔性支架上的源而产生共焦溅射；3.垂直于晶圆批量加工转盘旋转平面的磁控管源设置。

STE EB65系统用于 在高真空条件下获取金属、电介质和半导体材料薄膜，一次性批量装载最大 3×Ø200mm 的晶圆。STE EB65系统的特殊之处在于蒸发室，它由真空闸阀隔开，用于快速抽空主容积并在晶圆装载后启动工艺过程。主要优势：1.蒸发室体积密封隔离；2.由于采用特殊的“掩模”技术，厚度均匀性得到改善。

STE EB71系统适用于高真空和超高真空环境下的电子束薄膜蒸发。系统设计允许通过调节蒸发器与晶圆之间的距离来优化材料消耗。特殊的“掩模”技术可确保蒸发材料的高均匀性。主要优势：1.超高真空下的高质量薄膜沉积；2.通过调节蒸发到晶圆的距离来优化材料消耗；3.由于采用特殊的“掩模”技术，厚度均匀性得到改善。

STE35R技术平台专为半导体异质结构的批量生产而设计，允许通过机器人 UHV 集群工具组合多个生长室。 STE35R适用于 A3B5、A2B6、A3N 化合物以及 A3B5/A2B6 混合纳米异质结构的外延生长。